MENGENAL KOMPONEN DAN FUNGSINYA ( TRANSISTOR )

TRANSISTOR

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.

Transistor dapatdibedakan menjadi dua buah tipe yaitu transistor tipe pnp dan transistor tipe npn.pada prinsipnya transistor sama dengan dua buah dioda yang disusunsaling bertolak belakang,            

                                

                                                                                                            

    Tipe PNP          Tipe NPN

Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanyamemiliki 3 terminal. Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘ Transfer resistor’, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara terminalnyadapat diatur. Secara umum transistor terbagi dalam 3 jenis :

1. Transistor Bipolar 

2. Transistor Unipolar 

3. Transistor Unijunction

Transistor bipolar bekerja dengan 2 macam carrier, sedangkanunipolar satu macam saja, hole atau electron. Beberapa perbandingantransistor bipolar dan unipolar :

 Pada transistor bipolar, arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) danarus electron atau berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas.Transistor dapat berfungsi sebagai penguat tegangan, penguat arus,penguat daya atau sebagai saklar. Ada 2 jenis transistor yaitu PNP danNPN.Transistor di desain dari pemanfaatan sifat diode, arus menghantar daridiode dapat dikontrol oleh electron yang ditambahkan pada pertemuan PNdiode. Dengan penambahan elekdiode pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat dianggap dua buah diode yang mempunyai electrodebersama pada pertemuan. Junction semacam ini disebut transistor bipolar dan dapat digambarkan sebagai berikut:

 

               Struktur PNP                        Struktur NPN

Jenis-jenis transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain
Tipe:

1.      UJT,

 UJT, adalah sebuah peranti sederhana yang pada dasarnya adalah sebuah batangan semikonduktor tipe-n yang ditambahkan difusi bahan tipe-p di suatu tempat sepanjang batangan, menentukan parameter dari peranti. Peranti 2N2646 adalah versi yang paling sering digunakan

2.      BJT,

Transistor pertemuan dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari  transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah pembawa mayoritas, hampir semua arus transistor adalah dikarenakan pembawa minoritas, sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas.

 

3.      JFET,

  Transistor efek medan sambungan (TEMS, JFET atau JUGFET) adalah tipe paling sederhana dari transistor efek medan. Ini dapat digunakan sebagai sebuah sakelar terkendali elektronik atau resistansi terkendali tegangan. Muatan listrik mengalir melalui kanal semikonduktor di antara saluran sumber dan cerat. Dengan memberikan tegangan panjar ke saluran gerbang, kanal dijepit, jadi arus listrik dihalangi atau dimatikan sepenuhnya.

4.      IGFET (MOSFET),

ransistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET)  adalah salah satu jenis  transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P, dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, namun transistor sambungan dwikutub pada satu waktu lebih umum.

                                                                               

5.      IGBT,

Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate  bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.

G =  Gerbang

E  =  Emitor

C  = colektor

 

6.      HBT,

Transistor bipolar hetero (HBT) adalah jenis transistor bipolar junction (BJT) yang menggunakan bahan semikonduktor yang berbeda untuk  emitor dan basis daerah, menciptakan hetero. HBT membaik pada BJT karena dapat menangani sinyal frekuensi yang sangat tinggi, hingga beberapa ratus GHz. Hal ini umumnya digunakan dalam rangkaian ultra modern, sebagian besar frekuensi radio (RF) sistem, dan aplikasi yang memerlukan efisiensi daya tinggi, seperti power amplifier RF di telepon selular. Ide menggunakan hetero adalah sama tuanya dengan BJT konvensional

 

7.      MESFET,

 Transistor efek medan semikonduktor logam (MESFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. MESFET hampir serupa dengan JFET  dalam hal konstruksi dan terminologi, perbedaannya adalah MESFET tidak menggunakan sambungan p-n sebagai gerbang tetapi menggunakan pertemuan logam-semikonduktor Schottky. MESFET biasanya dibuat di teknologi semikonduktor majemuk untuk mengurangi pemasif permukaan mutu tinggi seperti galium arsenid (GaAs), indium fosfida (InP), atau Silikon karbida (SiC). MESFET lebih cepat, tetapi juga lebih mahal daripada JFET atau MOSFET yang berbasis silikon. MESFET dapat digunakan hingga frekuensi kira-kira 30 GHz, dan biasanya digunakan untk komunikasi frekuensi gelombang mikro dan radar. Untuk penggunaan dalam sirkuit digital, sangat sulit menggunakan MESFET untuk dasar dari sirkuit terpadu digital karena besarnya pemaduan terus meningkat, dan mutunya yang tidak lebih baik dari produksi berbasis CMOS.

 

8.      VMOSFET,

Sebuah VMOSFET gerbang perpecahan memiliki transistor  peningkatan dan transistor beban deplesi pada dinding samping yang berlawanan dari daerah V-groove. Dalam prosesnya, oksidasi perbedaan suku karena orientasi kristal yang berbeda dari substrat digunakan untuk menyelesaikan pembuatan perangkat dengan cara yang relatif sederhana. Langkah-langkah proses yang dihasilkan memungkinkan untuk membuat sebuah VMOSFET memiliki geometri simetris di mana gerbang transfer dapat dengan mudah diimplementasikan. MESFET,

 

9.      HEMT,

E lektron transistor mobilitas tinggi (HEMT), juga dikenal sebagai hetero FET (HFET)  atau modulasi-doped FET (MODFET), adalah efek medan transistor menggabungkan persimpangan antara dua bahan dengan celah pita yang berbeda (yaitu, hetero) sebagai saluran tersebut bukan suatu wilayah doped, seperti umumnya kasus untuk MOSFET. Kombinasi bahan yang umum digunakan adalah GaAs dengan AlGaAs, meskipun ada variasi yang luas, tergantung pada aplikasi perangkat. Perangkat menggabungkan indium lebih umum menunjukkan lebih baik frekuensi tinggi kinerja, sementara dalam beberapa tahun terakhir, HEMTs galium nitrida telah menarik perhatian karena daya tinggi kinerja mereka.

10.  SCR

   Sebuah beralih perangkat semikonduktor; SCR. Sebuah pemicu kecil saat ini di pintu gerbang dapat memungkinkan arus yang sangat besar mengalir dari anoda ke katoda, yang terus setelah berhenti pemicu saat ini. SCR hanya nonaktif bila anoda-katoda saat ini melalui itu turun di bawah tingkat minimum

serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain
Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain